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SQJ186EP-T1_GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.300 |
| 10+ | CHF 0.777 |
| 100+ | CHF 0.614 |
| 500+ | CHF 0.444 |
| 1000+ | CHF 0.405 |
| 5000+ | CHF 0.397 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQJ186EP-T1_GE3
Bestellnummer3782488
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.015ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung135W
Anzahl der Pins5Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET
QualifikationAEC-Q101
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
60A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
135W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.015ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
5Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung