Seite drucken
SIZF660LDT-T1-GE3
Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0026 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Bestellbar
Benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder vorrätig ist
| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 1.630 |
| 500+ | CHF 1.390 |
| 1000+ | CHF 1.290 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
CHF 168.00 (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von CHF 5.00 an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIZF660LDT-T1-GE3
Bestellnummer4644769RL
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal110A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0026ohm
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal62.5W
Betriebstemperatur, max.150°C
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0026ohm
Verlustleistung, n-Kanal
62.5W
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
110A
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung