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SIHK045N60E-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | CHF 5.110 |
| 50+ | CHF 5.100 |
| 100+ | CHF 4.240 |
| 250+ | CHF 4.160 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIHK045N60E-T1-GE3
Bestellnummer3879356RL
ProduktpaletteE Series
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.049ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.043ohm
Bauform - TransistorPowerPAK
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung278W
Verlustleistung Pd278W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteE Series
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.049ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
278W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
E Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
48A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.043ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Verlustleistung Pd
278W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000363
Produktnachverfolgung