SIHB30N60E-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 5.290 |
| 10+ | CHF 4.830 |
| 100+ | CHF 3.410 |
| 500+ | CHF 2.900 |
| 1000+ | CHF 2.480 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell SIHB30N60E-GE3 handelt es sich um einen 650V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp) mit einfacher Konfiguration. Dieser Baustein eignet sich für SNT, Server, Telekommunikationstechnik und PFC-Netzteile sowie für Solar-, Motorantriebs-, Induktionsheizungs- und Schweißanwendungen und Anwendungen im Bereich erneuerbare Energien.
- Niedrige Gütezahl (FOM) RON x Qg
- Niedrige Eingangskapazität (CISS)
- Geringe Schalt- und Leitungsverluste
- Ultraniedrige Gate-Ladung
- Avalanche-fähig
- Halogenfrei
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Kommunikation & Netzwerke, Beleuchtung, Tragbare Geräte, Computer & Computerperipheriegeräte, Alternative Energien, Motorantrieb & -steuerung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
n-Kanal
29A
TO-263 (D2PAK)
10V
250W
150°C
-
Lead (21-Jan-2025)
600V
0.125ohm
Oberflächenmontage
2V
3Pin(s)
E
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIHB30N60E-GE3
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat