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Menge | |
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500+ | CHF 0.207 |
1000+ | CHF 0.196 |
5000+ | CHF 0.160 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIA910EDJ-T1-GE3
Bestellnummer2335391
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal12V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.023ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.023ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SC-70
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal7.8W
Verlustleistung, p-Kanal7.8W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
- Dual N-channel 12V TrenchFET® power MOSFET
- Low on-resistance
- ESD protection 2400V typical
- Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package
- Used in load switch and high frequency DC/DC converter
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
12V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.023ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
7.8W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.023ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK SC-70
Verlustleistung, n-Kanal
7.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung