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500+ | CHF 0.474 |
1000+ | CHF 0.432 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI9407BDY-T1-GE3
Bestellnummer2101454
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.12ohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
Beim Modell SI9407BDY-T1-GE3 handelt es sich um einen -60V-p-Kanal-TrenchFET®-Leistungs-MOSFET. Der LITTLE FOOT®-Leistungs-MOSFET ist zur Oberflächenmontage ausgelegt und verwendet einen IC und Kleinsignalgehäuse, die modifiziert wurden, um die Wärmeleitfähigkeit bereitzustellen, die für Leistungsbausteine erforderlich sind.
- Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
- Rg: 100% getestet
- UIS: 100% getestet
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4.7A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.12ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000564
Produktnachverfolgung