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SI7540ADP-T1-GE3
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI7540ADP-T1-GE3
Bestellnummer2707201
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.950 |
| 10+ | CHF 1.340 |
| 100+ | CHF 0.987 |
| 500+ | CHF 0.721 |
| 1000+ | CHF 0.659 |
| 5000+ | CHF 0.591 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 1.95 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI7540ADP-T1-GE3
Bestellnummer2707201
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0115ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0115ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.6W
Verlustleistung, p-Kanal1.6W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Series
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
Der N- und P-Kanal-MOSFET (20V, D-S) eignet sich für die Verwendung in DC/DC-Wandlern, synchronen Abwärtswandlern, Synchrongleichrichtern, Lastschaltern und Motortreiberschaltern.
- TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
- Thermisch optimiertes PowerPAK®-Gehäuse
- 100% Rg-getestet
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0115ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.6W
Produktpalette
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0115ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Verlustleistung, n-Kanal
1.6W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001