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SI7456DP-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.7 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 1.240 |
| 500+ | CHF 1.010 |
| 1000+ | CHF 0.939 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI7456DP-T1-GE3
Bestellnummer9550704RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id5.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.025ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung1.9W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Alternativen für SI7456DP-T1-GE3
2 Produkte gefunden
Produktbeschreibung
SI7456DP-TI-GE3 ist ein 100VDS-TrenchFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp), der sich für primärseitige DC/DC-Schalt-, Telekom-/Server- und Voll-/Halbbrücken-DC/DC-Anwendungen eignet.
- Neues PowerPAK®-Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und geringer Bauhöhe von nur 1.07mm
- PWM-optimiert
- Hohe Schaltfrequenz
- 100% Rg-getestet
- Halogenfrei
- Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Kommunikation & Netzwerke, Fahrzeugelektronik
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
5.7A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.9W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.025ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (4)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000108
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