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SI7456DP-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.7 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI7456DP-T1-GE3
Bestellnummer4320382
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id5.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.025ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung1.9W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Alternativen für SI7456DP-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
5.7A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.9W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.025ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (4)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000108
Produktnachverfolgung