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SI6954ADQ-T1-E3
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.044 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.110 |
| 10+ | CHF 0.740 |
| 100+ | CHF 0.502 |
| 500+ | CHF 0.361 |
| 1000+ | CHF 0.348 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI6954ADQ-T1-E3
Bestellnummer2335343
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal3.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.044ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.044ohm
Bauform - TransistorTSSOP
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal830mW
Verlustleistung, p-Kanal830mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.044ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
830mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.044ohm
Bauform - Transistor
TSSOP
Verlustleistung, n-Kanal
830mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001