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Menge | |
---|---|
1+ | CHF 0.916 |
10+ | CHF 0.678 |
100+ | CHF 0.649 |
500+ | CHF 0.621 |
1000+ | CHF 0.592 |
5000+ | CHF 0.563 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI6926ADQ-T1-GE3
Bestellnummer2335342
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal4.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.024ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.024ohm
Bauform - TransistorTSSOP
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal830mW
Verlustleistung, p-Kanal830mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
SI6926ADQ-T1-GE3 ist ein zweifacher n-Kanal-MOSFET in einem SMD-Gehäuse.
- Halogenfrei
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.024ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
830mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.024ohm
Bauform - Transistor
TSSOP
Verlustleistung, n-Kanal
830mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000907
Produktnachverfolgung