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SI4963BDY-T1-E3
Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.025 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI4963BDY-T1-E3
Bestellnummer2335325
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal4.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.025ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.025ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.1W
Verlustleistung, p-Kanal1.1W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Alternativen für SI4963BDY-T1-E3
1 Produkt(e) gefunden
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.025ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.1W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.025ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
1.1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002268