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SI4288DY-T1-GE3
Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 2500+ | CHF 0.465 |
| 7500+ | CHF 0.456 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 2500
Mehrere: 2500
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI4288DY-T1-GE3
Bestellnummer3879344
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal40V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal9.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0165ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0165ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal3.1W
Verlustleistung, p-Kanal3.1W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0165ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
3.1W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0165ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
3.1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000726
Produktnachverfolgung