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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI4204DY-T1-GE3
Bestellnummer2335306
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal19.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal19.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0038ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0038ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal3.25W
Verlustleistung, p-Kanal3.25W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
SI4204DY-T1-GE3 ist ein zweifacher n-Kanal-MOSFET in einem SMD-Gehäuse. Dieser Baustein eignet sich für DC/DC-Wandler-, feste Telekommunikations- und Notebook-Anwendungen.
- Halogenfrei
- TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
19.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0038ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
3.25W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
19.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0038ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
3.25W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung