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SI3473CDV-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | CHF 0.219 |
| 9000+ | CHF 0.200 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI3473CDV-T1-GE3
Bestellnummer3879352
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds12V
Dauer-Drainstrom Id8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.022ohm
Bauform - TransistorTSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.400mV
Verlustleistung4.2W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8A
Bauform - Transistor
TSOP
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
4.2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.022ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
400mV
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung