Seite drucken
SI1029X-T1-GE3
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
3’000 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung in 1–2 Arbeitstagen
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab CHF 0.00
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
Verfügbar, bis der Lagerbestand erschöpft ist.
| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | CHF 0.130 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
CHF 390.00 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI1029X-T1-GE3
Bestellnummer2335038
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal305mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal1.4ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal1.4ohm
Bauform - TransistorSC-89
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal250mW
Verlustleistung, p-Kanal250mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The SI1029X-T1-GE3 is a N/P-channel complementary MOSFET designed for use with replace digital transistor, level-shifter, battery operated systems and power supply converter circuits applications. It offers ease in driving switches, low offset (error) voltage, low-voltage operation and high-speed circuits.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- Very small footprint
- High-side switching
- Low ON-resistance
- ±2V Low threshold
- 15ns Fast switching speed
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
1.4ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
250mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
1.4ohm
Bauform - Transistor
SC-89
Verlustleistung, n-Kanal
250mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung