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25+ | CHF 0.512 |
50+ | CHF 0.464 |
100+ | CHF 0.414 |
500+ | CHF 0.347 |
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Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Low input current, phototransistor output optocoupler. It has a GaAs infrared emitting diode emitter which is optically coupled to a silicon planar phototransistor detector. It is suitable for use in telecommunication, industrial controls, battery powered equipment and office machines.
- Good CTR linearity depending on forward current
- Low CTR degradation
- High collector emitter voltage, VCEO = 55V
- Isolation test voltage of 5300VRMS
- Low coupling capacitance
- High common mode transient immunity
- UL1577, cUL, CSA, BSI and FIMKO agency approved
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
1 Kanal
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Isolationsspannung
5.3kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
55V
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Optokoppler
DIP, Oberflächenmontage
Durchlassstrom If, max.
60mA
CTR, min.
160%
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.003629
Produktnachverfolgung