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BZD27C10P-E3-08
Zener-Diode, 10 V, 800 mW, DO-219AB, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.269 |
| 10+ | CHF 0.180 |
| 100+ | CHF 0.159 |
| 500+ | CHF 0.137 |
| 1000+ | CHF 0.117 |
| 5000+ | CHF 0.0951 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerBZD27C10P-E3-08
Bestellnummer2451488
ProduktpaletteBZD27
Technisches Datenblatt
Zener-Spannung, nom.10V
Verlustleistung800mW
Bauform - DiodeDO-219AB
Anzahl der Pins2Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
DiodenmontageOberflächenmontage
ProduktpaletteBZD27
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
BZD27C10P-E3-08 ist eine Silizium-Planar-Zener-Diode mit niedrigem Leckstrom und hervorragender Stabilität, die sich für Wellen- und Reflow-Lötverfahren eignet.
- SMD-Gehäuse in flacher Bauweise
- Zener- und Stoßstrom-Spezifikation
- Entspricht MSL1, nach J-STD-020, Spitzentemperatur (LF) beträgt 260°C
- Erfüllt JESD 201 Klasse 2
- ESD-Schutz gemäß AEC-Q101 HBM <gt/>8kV, MM <gt/>800V
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
Anwendungen
Gewerbe
Technische Spezifikationen
Zener-Spannung, nom.
10V
Bauform - Diode
DO-219AB
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
BZD27
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Verlustleistung
800mW
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BZD27C10P-E3-08
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung