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BPW85
Fototransistor, 850 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 (3mm)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.653 |
| 10+ | CHF 0.429 |
| 25+ | CHF 0.378 |
| 50+ | CHF 0.326 |
| 100+ | CHF 0.275 |
| 500+ | CHF 0.269 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerBPW85
Bestellnummer1045380
Technisches Datenblatt
Wellenlänge, typ.850nm
Abstrahlwinkel50°
Stromverbrauch100mW
Anzahl der Pins2Pin(s)
Bauform - TransistorT-1 (3mm)
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
BPW85 ist ein Silizium-NPN-Fototransistor mit hoher Licht- und Strahlungsempfindlichkeit. Dieser Baustein ist empfindlich gegenüber Strahlung im sichtbaren und nahen Infrarot-Bereich.
- Kurze Ansprechzeit
- Winkel für halbe Empfindlichkeit: ± 25°
Anwendungen
Sensortechnik
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
850nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
T-1 (3mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Abstrahlwinkel
50°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000136
Produktnachverfolgung