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UF4C120070K4S
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 9.620 |
| 5+ | CHF 9.200 |
| 10+ | CHF 8.770 |
| 50+ | CHF 8.020 |
| 100+ | CHF 7.280 |
| 250+ | CHF 6.540 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerUF4C120070K4S
Bestellnummer4222000
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id27.5A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand72mohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung12V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.6V
Verlustleistung217W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
27.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
72mohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
6V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
12V
Verlustleistung
217W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.007938
Produktnachverfolgung