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Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerXPJR6604PB,LXHQ(O
Bestellnummer4266794RL
ProduktpaletteU-MOSIX-H Series
Auch bekannt alsXPJR6604PB, XPJR6604PB,LXHQ
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
100+ | CHF 1.150 |
500+ | CHF 1.040 |
1000+ | CHF 1.020 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerXPJR6604PB,LXHQ(O
Bestellnummer4266794RL
ProduktpaletteU-MOSIX-H Series
Auch bekannt alsXPJR6604PB, XPJR6604PB,LXHQ
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id200A
Drain-Source-Durchgangswiderstand660µohm
Bauform - TransistorS-TOGL
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung375W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteU-MOSIX-H Series
QualifikationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
200A
Bauform - Transistor
S-TOGL
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
375W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
660µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
U-MOSIX-H Series
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000395
Produktnachverfolgung