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TPN13008NH,L1Q(M
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTPN13008NH,L1Q(M
Bestellnummer4173227
ProduktpaletteU-MOSVIII-H Series
Auch bekannt alsTPN13008NH, TPN13008NH,L1Q
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.769 |
| 10+ | CHF 0.626 |
| 100+ | CHF 0.447 |
| 500+ | CHF 0.393 |
| 1000+ | CHF 0.340 |
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Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTPN13008NH,L1Q(M
Bestellnummer4173227
ProduktpaletteU-MOSVIII-H Series
Auch bekannt alsTPN13008NH, TPN13008NH,L1Q
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0108ohm
Bauform - TransistorTSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung42W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteU-MOSVIII-H Series
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
40A
Bauform - Transistor
TSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
42W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0108ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
U-MOSVIII-H Series
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00003