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TPH3R70APL1,LQ(M
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTPH3R70APL1,LQ(M
Bestellnummer3872549
Auch bekannt alsTPH3R70APL1 ,TPH3R70APL1,LQ
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 2.510 |
| 10+ | CHF 1.960 |
| 100+ | CHF 1.340 |
| 500+ | CHF 1.050 |
| 1000+ | CHF 0.978 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 2.51 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTPH3R70APL1,LQ(M
Bestellnummer3872549
Auch bekannt alsTPH3R70APL1 ,TPH3R70APL1,LQ
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id90A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0031ohm
Bauform - TransistorSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung210W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
90A
Bauform - Transistor
SOP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
210W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0031ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001