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TK8A25DA,S4X(M
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTK8A25DA,S4X(M
Bestellnummer4173166
Auch bekannt alsTK8A25DA, TK8A25DA,S4X
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTK8A25DA,S4X(M
Bestellnummer4173166
Auch bekannt alsTK8A25DA, TK8A25DA,S4X
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds250V
Dauer-Drainstrom Id7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.41ohm
Bauform - TransistorTO-220SIS
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung30W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
7.5A
Bauform - Transistor
TO-220SIS
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
30W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
250V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.41ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0017
Produktnachverfolgung