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2SK208-R(TE85L,F)
JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
Herstellerteilenummer2SK208-R(TE85L,F)
Bestellnummer3872214
Auch bekannt als2SK208-R, 2SK208-R(TE85L
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.489 |
| 10+ | CHF 0.346 |
| 100+ | CHF 0.225 |
| 500+ | CHF 0.168 |
| 1000+ | CHF 0.146 |
| 5000+ | CHF 0.115 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
Herstellerteilenummer2SK208-R(TE85L,F)
Bestellnummer3872214
Auch bekannt als2SK208-R, 2SK208-R(TE85L
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.50V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.6.5mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.300µA
Gate-Source-Sperrspannung, max.5V
Bauform - TransistorTO-236MOD
Anzahl der Pins3 Pins
TransistortypMOSFET
Betriebstemperatur, max.125°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
50V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
300µA
Bauform - Transistor
TO-236MOD
Transistortyp
MOSFET
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
6.5mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3 Pins
Betriebstemperatur, max.
125°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung