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XP151A12A2MR-G
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.679 |
| 10+ | CHF 0.521 |
| 100+ | CHF 0.365 |
| 500+ | CHF 0.297 |
| 1000+ | CHF 0.266 |
| 5000+ | CHF 0.223 |
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Produktspezifikationen
HerstellerTOREX
HerstellerteilenummerXP151A12A2MR-G
Bestellnummer3534771
ProduktpaletteXP151
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.075ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.4V
Verlustleistung500mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteXP151
Qualifikation-
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
500mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.075ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
XP151
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung