SN65176BDR

Beim Modell SN65176BDR handelt es sich um einen Differenzbustransceiver in 8-poligem SOIC-Gehäuse für die bidirektionale Datenübertragung auf Mehrpunktbusleitungen. Der Baustein ist für symmetrische Übertragungsleitungen ausgelegt und erfüllt die Vorgaben von ANSI TIA/EIA-422-B und TIA/EIA-485-A sowie die ITU-Empfehlungen V.11 und X.27. Der Transceiver SN65176B verbindet einen 3-State-Differenzleitungstreiber und einen Differenzeingangsleitungsempfänger, die beide über eine einzelne 5V-Stromversorgung betrieben werden. Treiber und Empfänger verfügen über Aktiv-High- bzw. Aktiv-Low-Enable, die zur Drehrichtungssteuerung extern verbunden werden können. Die Differenzausgänge des Treibers und die Differenzeingänge des Empfängers sind intern zu Differenz-Eingangs/Ausgangs-Busports verbunden, die bei Deaktivierung des Treibers und bei VCC=0 eine minimale Last für den Bus sicherstellen. Diese Ports bieten große positive und negative asymmetrische Spannungsbereiche, sodass der Baustein SN65176B auch für Sammelleitungsanwendungen geeignet ist.

• Für Mehrpunktübertragung auf langen Busleitungen in verrauschten Umgebungen ausgelegt
• Versorgungsspannung: 4.75V bis 5.25V
• Große positive und negative Eingangs-/Ausgangs-Busspannungsbereiche
• Treiberausgangsstrom, max.: ± 60mA
• Überhitzungsschutz
• Treiber mit Strombegrenzung für positiven und negativen Bereich
• Empfänger-Eingangsimpedanz, min.: 12 kOhm
• Empfänger-Eingangsempfindlichkeit: ±200mV
• Empfänger-Eingangshysterese: 50mV
• Betriebstemperatur: -40°C bis 105°C

Anwendungen

Kommunikation & Netzwerke, Sensortechnik, Motorantrieb & -steuerung, Wireless, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte

Warnungen und Hinweise

Nur bedingt ESD-sicher! Baustein muss bei Lagerung oder Handhabung kurzgeschlossen sein oder sich in leitfähigem Schaumstoff befinden, um Schäden an den MOS-Gates durch elektrostatische Entladung zu verhindern.