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NLV32T-1R8J-EF
Drahtgewickelte Induktivität, 1.8 µH, 0.9 ohm, 80 MHz, 350 mA, 1210 [Metrisch 3225]
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTDK
HerstellerteilenummerNLV32T-1R8J-EF
Bestellnummer2747889
ProduktpaletteNLV32-EF Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 26 Woche(n)
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.135 |
| 50+ | CHF 0.110 |
| 250+ | CHF 0.106 |
| 500+ | CHF 0.0968 |
| 1000+ | CHF 0.0873 |
| 2000+ | CHF 0.0836 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
CHF 0.68 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerTDK
HerstellerteilenummerNLV32T-1R8J-EF
Bestellnummer2747889
ProduktpaletteNLV32-EF Series
Technisches Datenblatt
Induktivität1.8µH
DC-Widerstand, max.0.9ohm
Eigenresonanzfrequenz80MHz
DC-Nennstrom350mA
Bauform/Gehäuse der Induktivität1210 [Metrisch 3225]
ProduktpaletteNLV32-EF Series
Induktivitätstoleranz± 5%
Bauart der InduktivitätUngeschirmt
KernmaterialFerrit
Produktlänge3.2mm
Produktbreite2.5mm
Produkthöhe2.2mm
Technische Spezifikationen
Induktivität
1.8µH
Eigenresonanzfrequenz
80MHz
Bauform/Gehäuse der Induktivität
1210 [Metrisch 3225]
Induktivitätstoleranz
± 5%
Kernmaterial
Ferrit
Produktbreite
2.5mm
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
DC-Widerstand, max.
0.9ohm
DC-Nennstrom
350mA
Produktpalette
NLV32-EF Series
Bauart der Induktivität
Ungeschirmt
Produktlänge
3.2mm
Produkthöhe
2.2mm
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung