STQ1NK80ZR-AP
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 300 mA, 13 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.916 |
| 10+ | CHF 0.678 |
| 100+ | CHF 0.457 |
| 500+ | CHF 0.368 |
| 1000+ | CHF 0.329 |
| 5000+ | CHF 0.288 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell STQ1NK80ZR-AP handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit SuperMESH™-Technologie, Z-Schutzdiode und minimaler Gate-Ladung. Dieser SuperMESH™-MOSFET wurde durch die deutliche Optimierung des bewährten, Strip-basierten PowerMESH™-Layouts von ST erreicht. Neben einer erheblichen Senkung des Durchgangswiderstands bietet dieser Baustein ein hervorragendes dV/dt-Verhalten für die anspruchsvollsten Anwendungen. Dieser MOSFET ergänzt das komplette Angebot an Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs von ST, einschließlich revolutionärer MDmesh™-Produkte.
- 100% Avalanche-getestet
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten
- Neuer Hochspannungs-Maßstab
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
n-Kanal
300mA
TO-92
10V
3W
150°C
-
800V
13ohm
Durchsteckmontage
3.75V
3Pin(s)
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat