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STP19NM50N
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP19NM50N
Bestellnummer2098299
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 2.560 |
| 10+ | CHF 1.840 |
| 100+ | CHF 1.810 |
| 500+ | CHF 1.780 |
| 1000+ | CHF 1.660 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 2.56 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP19NM50N
Bestellnummer2098299
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.2ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung110W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
Produktbeschreibung
STP19NM50N ist ein MDmesh™ II-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mithilfe der zweiten Generation der MDmesh™-Technologie entwickelt wurde. Dieser revolutionäre Baustein bietet eine vertikale Struktur mit Strip-Layout sowie einen der niedrigsten ON-Widerstände und eine äußerst niedrige Gate-Ladung. Daher eignet er sich für die meisten anspruchsvollen Wandleranwendungen mit hohem Wirkungsgrad.
- 100% Avalanche-getestet
- Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
- Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
14A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
110W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.2ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002658