STP11NM80
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 4.350 |
| 10+ | CHF 3.060 |
| 100+ | CHF 2.940 |
| 500+ | CHF 2.590 |
| 1000+ | CHF 2.580 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
STP11NM80 ist ein MDmesh™-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit niedriger Eingangskapazität und Gate-Ladung. Dieser Leistungs-MOSFET wurde mithilfe der revolutionären MDmesh™-Technologie von STMicroelectronics entwickelt, bei welcher das Verfahren mit mehrfachem Drain mit dem horizontalen PowerMESH™-Layout des Unternehmens verbunden wird. Dieser MOSFET bietet einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand, ein hervorragendes dV/dt-Verhalten und ein hervorragendes Avalanche-Verhalten. Dank Verwendung der proprietären Strip-Technik von ST liefert der Baustein eine überragende dynamische Gesamtleistung, welche die von ähnlichen Produkten auf dem Markt übertrifft.
- Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
11A
TO-220
10V
150W
150°C
-
800V
0.4ohm
Durchsteckmontage
4V
3Pin(s)
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für STP11NM80
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat