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HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP10NK60ZFP
Bestellnummer9935517
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | CHF 3.780 |
10+ | CHF 3.740 |
100+ | CHF 1.940 |
500+ | CHF 1.600 |
1000+ | CHF 1.490 |
5000+ | CHF 1.460 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP10NK60ZFP
Bestellnummer9935517
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.75ohm
Bauform - TransistorTO-220FP
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.75V
Verlustleistung35W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
Produktbeschreibung
STP10NK60ZFP ist ein mit einer Zener-Diode geschützter n-Kanal-Leistungs-MOSFET für 600V mit SuperMESH™-Technologie, die durch die Optimierung des bewährten Strip-basierten PowerMESH™-Layouts erreicht wurde. Neben einer erheblichen Senkung des Durchlasswiderstands bietet dieser MOSFET ein hervorragendes dV/dt-Verhalten für die anspruchsvollsten Anwendungen. Durch die verbesserte Gate-Ladung und geringere Leistungsverluste werden die heutigen hohen Anforderungen an den Wirkungsgrad erfüllt.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Zener-protected
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
10A
Bauform - Transistor
TO-220FP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
35W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.75ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.75V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für STP10NK60ZFP
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
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