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STH13N120K5-2AG
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTH13N120K5-2AG
Bestellnummer3387280RL
ProduktpaletteMDmesh K5
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | CHF 6.720 |
| 50+ | CHF 6.310 |
| 100+ | CHF 5.900 |
| 250+ | CHF 5.780 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTH13N120K5-2AG
Bestellnummer3387280RL
ProduktpaletteMDmesh K5
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.62ohm
Bauform - TransistorH2PAK-2
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung250W
Anzahl der Pins2Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMDmesh K5
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
H2PAK-2
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
250W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.62ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
MDmesh K5
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00138
Produktnachverfolgung