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STGB40H65FB
IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGB40H65FB
Bestellnummer3366979
Produktpalette650V HB
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.740 |
| 10+ | CHF 2.440 |
| 50+ | CHF 2.260 |
| 200+ | CHF 2.090 |
| 500+ | CHF 1.910 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 3.74 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGB40H65FB
Bestellnummer3366979
Produktpalette650V HB
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom80A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.6V
Verlustleistung283W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette650V HB
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
80A
Verlustleistung
283W
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
650V HB
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.6V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00138
Produktnachverfolgung