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STGB30H60DFB
IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGB30H60DFB
Bestellnummer3366977
Produktpalette650V HB
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 18 Woche(n)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.120 |
| 10+ | CHF 2.910 |
| 100+ | CHF 2.400 |
| 500+ | CHF 2.200 |
| 1000+ | CHF 1.040 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 3.12 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGB30H60DFB
Bestellnummer3366977
Produktpalette650V HB
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom60A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.55V
Verlustleistung260W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.600V
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette650V HB
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
60A
Verlustleistung
260W
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
650V HB
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.55V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
600V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00138
Produktnachverfolgung