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SCTW40N120G2V
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCTW40N120G2V
Bestellnummer3748722
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 9.790 |
| 5+ | CHF 9.670 |
| 10+ | CHF 9.560 |
| 50+ | CHF 9.440 |
| 100+ | CHF 9.330 |
| 250+ | CHF 9.210 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 9.79 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCTW40N120G2V
Bestellnummer3748722
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id36A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.07ohm
Bauform - TransistorHiP247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.45V
Verlustleistung278W
Betriebstemperatur, max.200°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.07ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.45V
Betriebstemperatur, max.
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
HiP247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
278W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0045
Produktnachverfolgung