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MJD122-1
Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
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| Menge | |
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| 100+ | CHF 0.461 |
| 500+ | CHF 0.425 |
| 1000+ | CHF 0.352 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerMJD122-1
Bestellnummer4036346
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.-
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN8A
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP-
Verlustleistung, NPN20W
Verlustleistung, PNP-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.100hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.-
Bauform - TransistorTO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN-
Übergangsfrequenz, PNP-
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
-
Verlustleistung, PNP
-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
-
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
-
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
8A
Verlustleistung, NPN
20W
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
100hFE
Bauform - Transistor
TO-251 (IPAK)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN
-
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00031
Produktnachverfolgung