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Menge | |
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100+ | CHF 4.780 |
250+ | CHF 4.770 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
MASTERGAN3 ist ein fortschrittliches System-in-Package, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren (Anreicherungstyp) in einer asymmetrischen Halbbrückenkonfiguration umfasst. Die integrierten GaN-Leistungstransistoren haben eine Drain-Source-Sperrspannung von 650V und einen RDS(ON) von 225 mOhm für Low-Side und 450 mOhm für High-Side, während die High-Side des eingebetteten Gate-Treibers einfach durch die integrierte Bootstrap-Diode versorgt werden kann. MASTERGAN3 verfügt über eine Unterspannungsabschaltung (UVLO) an den unteren und oberen Treiberbereichen, wodurch die Betätigung der Leistungsschalter bei niedriger Effizienz oder unter gefährlichen Bedingungen verhindert wird, und die Verriegelungsfunktion verhindert Querstrombedingungen. Der erweiterte Bereich der Eingangspins ermöglicht einen einfachen Anschluss an Mikrocontroller, DSP-Einheiten oder Hall-Effekt-Sensoren. Das System-in-Package MASTERGAN3 arbeitet im industriellen Temperaturbereich von -40°C bis 125°C. Es ist erhältlich in einem kompakten, 9x9mm großen QFN-Gehäuse.
- Rückstromfestigkeit
- Keine Reverse-Recovery-Verluste
- Präzises internes Timing-Match
- 3.3V- bis 15V-kompatible Eingänge mit Hysterese und Pull-Down
- Überhitzungsschutz
- Reduzierung der Materialliste
- Sehr kompaktes und vereinfachtes Layout
- Flexibles, einfaches und schnelles Design
Technische Spezifikationen
4.75V
4A
-V
QFN
-kHz
MSL 3 - 168 Stunden
No SVHC (21-Jan-2025)
9.5V
-V
QFN-EP
31Pin(s)
MasterGaN
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat