EVSTGAP2SICSN

EVSTGAP2SICSN ist ein Halbbrücken-Evaluationsboard zum Evaluieren des isolierten, einfachen Gate-Treibers STGAP2SICSN. Der Gate-Treiber wird charakterisiert durch eine Strombelastbarkeit von 4A und Rail-to-Rail-Ausgänge, wodurch er sich für Hochleistungs-Wechselrichteranwendungen wie Motortreiber in industriellen Anwendungen, ausgestattet mit SiC-Leistungsschalter, eignet. Die getrennten Source- und Sink-Ausgänge ermöglichen die unabhängige Optimierung des Ein- und Ausschaltens durch die Verwendung dedizierter Gate-Widerstände. Der Baustein verfügt über Unterspannungsabschaltung und Überhitzungsschutz zum einfachen Entwickeln von Systemen mit hoher Zuverlässigkeit. Zwei Eingangspins ermöglichen die Auswahl der Steuersignalpolarität und die Implementierung des HW-Verriegelungsschutzes, um im Fall einer Fehlfunktion des Controllers Querströme zu verhindern. Der Baustein ermöglicht die Implementierung einer negativen Gate-Ansteuerung, und die boardinternen, isolierten DC/DC-Wandler ermöglichen die Arbeit mit optimierter, treibender Spannung für SiC.

• Halbbrückenkonfiguration, Hochspannungsschiene bis zu 520V
• SCT35N65: SiC-MOSFET, 650V, 55 mOhm
• Negative Gate-Ansteuerung
• Boardinterne, isolierte DC/DC-Wandler zum Versorgen von High-Side- und Low-Side-Gate-Treibern
• 3.3V-VDD-Logikversorgung erzeugt auf dem Board oder 5V (extern angelegt)
• Einfache Auswahl der Treiberspannungskonfiguration über Jumper: +17/0V; +17/-3V; +19/0V; +19/-3V