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BDX34C
Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 70 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.717 |
| 10+ | CHF 0.441 |
| 100+ | CHF 0.392 |
| 500+ | CHF 0.311 |
| 1000+ | CHF 0.280 |
| 5000+ | CHF 0.223 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerBDX34C
Bestellnummer1015774
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd70W
DC-Kollektorstrom10A
Bauform - HF-TransistorTO-220
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE750hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BDX34C is a -100V Silicon Epitaxial Base PNP Power Transistor in monolithic Darlington configuration. It is intended for use in power linear and switching applications. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Complementary to the BDX33C
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Verlustleistung Pd
70W
Bauform - HF-Transistor
TO-220
DC-Stromverstärkung hFE
750hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
DC-Kollektorstrom
10A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung