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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerBDX33C
Bestellnummer9946489
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd70W
DC-Kollektorstrom10A
Bauform - HF-TransistorTO-220
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE750hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BDX33C is a NPN complementary silicon power Darlington Transistor with built-in epitaxial planar technology. Designed for use in power linear and switching applications.
- Complement to BDX34C
- 0.25A Base current
Anwendungen
Audio, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
70W
Bauform - HF-Transistor
TO-220
DC-Stromverstärkung hFE
750hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
DC-Kollektorstrom
10A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BDX33C
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002