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BD677
Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, SOT-32, 3 Pin(s)
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| Menge | |
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| 10+ | CHF 0.320 |
| 100+ | CHF 0.279 |
| 500+ | CHF 0.216 |
| 1000+ | CHF 0.180 |
| 5000+ | CHF 0.149 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerBD677
Bestellnummer9946438
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo60V
Verlustleistung Pd40W
DC-Kollektorstrom4A
Bauform - HF-TransistorSOT-32
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE750hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BD677 is a 60V Silicon NPN Complementary Power Darlington Transistor manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Monolithic Darlington configuration with integrated anti parallel collector-emitter diode. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
40W
Bauform - HF-Transistor
SOT-32
DC-Stromverstärkung hFE
750hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
60V
DC-Kollektorstrom
4A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BD677
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:India
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:India
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002087