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RF9P120BKFRATCR
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.040 |
| 10+ | CHF 0.770 |
| 100+ | CHF 0.583 |
| 500+ | CHF 0.506 |
| 1000+ | CHF 0.462 |
| 5000+ | CHF 0.408 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRF9P120BKFRATCR
Bestellnummer4691426
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.058ohm
Bauform - TransistorWFDFN2020
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung23W
Anzahl der Pins7Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
WFDFN2020
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
23W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.058ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung