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RD3H160SPFRATL
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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| Menge | |
|---|---|
| 2500+ | CHF 0.576 |
| 7500+ | CHF 0.547 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 2500
Mehrere: 2500
CHF 1’440.00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRD3H160SPFRATL
Bestellnummer4319945
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds45V
Dauer-Drainstrom Id16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.035ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung20W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
16A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
20W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
45V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.035ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000454
Produktnachverfolgung