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R6086YNZ4C13
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 86 A, 0.044 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 10.400 |
| 5+ | CHF 9.120 |
| 10+ | CHF 7.850 |
| 50+ | CHF 7.220 |
| 100+ | CHF 6.370 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerR6086YNZ4C13
Bestellnummer4168774
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id86A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.044ohm
Bauform - TransistorTO-247G
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung12V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.6V
Verlustleistung781W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
86A
Bauform - Transistor
TO-247G
Rds(on)-Prüfspannung
12V
Verlustleistung
781W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.044ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
6V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006
Produktnachverfolgung