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R6049YNZ4C13
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 49 A, 0.082 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | CHF 3.970 |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerR6049YNZ4C13
Bestellnummer4263621
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.082ohm
Bauform - TransistorTO-247G
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.6V
Verlustleistung448W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
49A
Bauform - Transistor
TO-247G
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
448W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.082ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
6V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0068
Produktnachverfolgung