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RJF0409JSP-00#J0
Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 5 A, 0.086 ohm
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| Menge | |
|---|---|
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| 100+ | CHF 1.800 |
| 500+ | CHF 1.480 |
| 1000+ | CHF 1.350 |
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerRJF0409JSP-00#J0
Bestellnummer4293746
Technisches Datenblatt
KanaltypZweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal40V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.086ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorSOP
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.5W
Verlustleistung, p-Kanal-
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
-
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.086ohm
Bauform - Transistor
SOP
Verlustleistung, n-Kanal
1.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000074
Produktnachverfolgung