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2SK1317-E
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 12.680 |
| 5+ | CHF 12.030 |
| 10+ | CHF 11.370 |
| 50+ | CHF 10.720 |
| 100+ | CHF 10.710 |
| 250+ | CHF 10.510 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
Herstellerteilenummer2SK1317-E
Bestellnummer3392523
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds1.5kV
Dauer-Drainstrom Id2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand9ohm
Bauform - TransistorTO-3P
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung100W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.5A
Bauform - Transistor
TO-3P
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
100W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
1.5kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
9ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001236