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AQV251G
MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 30 V, 3.5 A, DIP-6, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerPANASONIC
HerstellerteilenummerAQV251G
Bestellnummer3588627
ProduktpalettePhotoMOS AQV251G
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 4.620 |
| 5+ | CHF 4.360 |
| 10+ | CHF 4.110 |
| 20+ | CHF 4.020 |
| 50+ | CHF 3.930 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 4.62 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerPANASONIC
HerstellerteilenummerAQV251G
Bestellnummer3588627
ProduktpalettePhotoMOS AQV251G
Technisches Datenblatt
KontaktkonfigurationSPST-NO
KontaktformSPST-NO (1 Form A)
Art der LastAC/DC
Lastspannung, max.30V
Laststrom3.5A
Bauform MOSFET-RelaisDIP-6
RelaismontageDurchsteckmontage
RelaisanschlüssePC-Pin
Durchlassstrom If50mA
Durchlasswiderstand, max.0.08ohm
Isolationsspannung1.5kV
I/O-Kapazität0.8pF
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.1µA
ProduktpalettePhotoMOS AQV251G
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kontaktkonfiguration
SPST-NO
Art der Last
AC/DC
Laststrom
3.5A
Relaismontage
Durchsteckmontage
Durchlassstrom If
50mA
Isolationsspannung
1.5kV
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.
1µA
SVHC
To Be Advised
Kontaktform
SPST-NO (1 Form A)
Lastspannung, max.
30V
Bauform MOSFET-Relais
DIP-6
Relaisanschlüsse
PC-Pin
Durchlasswiderstand, max.
0.08ohm
I/O-Kapazität
0.8pF
Produktpalette
PhotoMOS AQV251G
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004