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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTMT045N065SC1
Bestellnummer4070488
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 32 Woche(n)
10–14 Werktage für die Lieferung von Lagerartikeln (US Stock).
Menge | |
---|---|
1+ | CHF 10.440 |
25+ | CHF 7.990 |
50+ | CHF 7.040 |
100+ | CHF 6.340 |
250+ | CHF 6.020 |
500+ | CHF 5.730 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 10.44 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTMT045N065SC1
Bestellnummer4070488
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-Konfiguration-
KanaltypN Channel
Dauer-Drainstrom Id55A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.05ohm
Bauform - TransistorTDFN
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.3V
Verlustleistung187W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
-
Dauer-Drainstrom Id
55A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.05ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.3V
Betriebstemperatur, max.
175°C
Kanaltyp
N Channel
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TDFN
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
187W
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.008309
Produktnachverfolgung